隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
清洗工藝是貫穿整個半導(dǎo)體制造的重要環(huán)節(jié)，是影響半導(dǎo)體器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造過程中，任何的沾污都可能影響半導(dǎo)體器件的性能，甚至引起失效。因此，幾乎在芯片制造的每一道工序前后，都需要進行清洗工藝，去除表面的污染物，保證晶圓表面的潔凈度，尤其在拋光、刻蝕等工藝后，晶圓表面會附著一些顆粒、金屬、有機物、自然氧化層等雜質(zhì)
但清洗對象千變?nèi)f化，可以遇到的材質(zhì)種類也非常復(fù)雜，我們無法用一兩種清潔劑滿足所有材質(zhì)的清洗**性，則清潔劑的組分設(shè)計以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，就必須充分考慮不同類型的設(shè)備所包含材料的材質(zhì)特性，保證清潔劑在正確使用時，對所清洗對象的材質(zhì)沒有損傷。
清洗劑的濃度與清洗效果有很大的關(guān)系，一般隨著濃度的增加，去污能力也相應(yīng)的增強，但達到一定濃度后，去污能力不再明顯提高。一般濃度控制在3%-5%為宜。
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